logo
O‘zbekcha

“ВЛИЯНИЕ ИОНОВ ЭРБИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОДЕТЕКТОРЫ: МОДЕЛЬ КРЕМНИЯ”

Авторы

Ключевые слова:

Полупроводники, Фотодетекторы, Ионы эрбия, Модель кремния, Фотолюминесценция, Фотоэлектропроводимость, Ионная имплантация, Оптические свойства, Электрические свойства.

Аннотация

В данной статье изучаются возможности повышения эффективности полупроводниковых фотодетекторов путем легирования кремния ионами эрбия. В ходе исследования были проанализированы спектры фотолюминесценции и фотопроводимости, а также изучено влияние ионов эрбия на оптические и электрические свойства кремния. Результаты показывают, что легированный эрбием кремний может быть эффективным материалом для оптоэлектронных устройств, особенно для фотодетекторов, работающих в инфракрасном диапазоне.

Биография автора

  • , Farg‘ona davlat universiteti

    Fizika kafedrasi o‘qituvchisi

Библиографические ссылки

Sodiqov M.Q. (2020). Yarimo‘tkazgich materiallar texnologiyasi. Toshkent: Fan nashriyoti.12-27

Karimov A. (2021). Fotodetektorlar va optoelektronika. Toshkent: Ilmiy adabiyotlar markazi.

Usmonov T.A. (2022). Yarimo‘tkazgichlarda doplash usullari. Samarqand: Universitet nashriyoti.

Yo‘ldoshev X.X. (2019). "Kremniyning optik xususiyatlari va dopant ionlarining ta’siri". Ilmiy texnika jurnali, 3(2), 45–57.

Davis C. (2021). "Photodetectors in Modern Optoelectronics". Journal of Semiconductor Physics, 12(4), 123–140.

Akramov B. (2020). Kvant fizikasida zamonaviy texnologiyalar. Toshkent: Universitet nashriyoti.

Rasulov R.Y. (2017). Symmetry and Real Band Structure of Semiconductors. Toshkent: Universitet nashriyoti.

Rasulov R.Y. (2019). "Linear-Circular Dichroism of Four-Photon Absorption of Light in Semiconductors with a Complex Valence Band". Journal of Semiconductor Physics, 15(3), 123–135.

Internet manbalari

"Ion Implantation in Semiconductors: Basics and Applications". https://www.sciencedirect.com/topics/ion-implantation

"Photoluminescence in Doped Semiconductors". https://www.researchgate.net/publication/photoluminescence_doped

"Advances in Optoelectronic Materials". https://optoelectronics.journal.org/advances_materials

Опубликован

2025-07-28

Выпуск

Раздел

Физика и техника

Как цитировать

“ВЛИЯНИЕ ИОНОВ ЭРБИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОДЕТЕКТОРЫ: МОДЕЛЬ КРЕМНИЯ”. (2025). Научный вестник Ферганский государственный университета, 31(2), 177. https://journal.fdu.uz/index.php/sjfsu/article/view/7237

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)