The distribution of electrons and holes in the Brillouin zone in semiconductors under the influence of electric and magnetic fields is briefly analyzed, with a focus on the distribution of electrons in the Brillouin zone as a result of the electric field effect.
References
С. М. Рвкин, Комплексное исследование фотопроводимости. I. Постановка задачи и метод исследования, ЖЭТФ 20, 139
А.Ф.Иоффе, Физика полупроводников, Изд. АН, 1957. Глава 2
В.Schonwald, Электрические и оптические свойства полупроводников. Установка для измерений фототока в полупроводниках, Ann. d. Phys. 15, 395 (1932).
С.М.Рывкин, Комплекснос исследование фотопроводимости. I. Постановка задачи и метод исследования, ЖЭТФ 20, 139 Глава 3
I.Rungeu. R.Sewig, O внутреннем фотоэффекте в кристаллических полупроводниках, Zs. f. Phys. 62, 726 (1930).
Muminov, I. A., & Muminova, M. (2023). QATTIQ JISMLARNING KRISTALL PANJARALARI. Oriental renaissance: Innovative, educational, natural and social sciences, 3(3), 1314-1317.
Arabboyevich, M. I., & Nabijon o‘g‘li, S.U.B. (2022). QATTIQ JISM KRISTALLARINI O‘STIRISH NAZARIYASI. Scientific Impulse, 1(3), 696-698.