ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОЧНОЙ СИСТЕМЫ SI/CU

Боковая панель статьи

PDF (O'zbekcha)
Опубликован: okt 26, 2023
Ключевые слова:
кремний, пленка, энергия, наноэлектроника, электрон, оксид, полупроводник.

Основное содержимое статьи

Alisher Тursunov
Shahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and Technology
Akbar Аxmedov
Shahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and Technology

Аннотация

Методом низкоэнергетической (Е0=1-5 кэВ) имплантации ионов О2+, Ва+, Cu+ и Со+ с последующим отжигом на поверхности свободной нанопленочной системы Si/Cu(100) получены нанофазы и пленки SiO2 и силицидов металлов. Определены их морфология поверхности, состав, параметры энергетических зон, максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии, квантовый выход фотоэлектронов. В частности показано, что щерена запрещенной зоны силицидов металлов составляет 0.3-0.4 эВ, а их удельное сопротивления - 100-500 мкOм×см.

Информация о статье

Как цитировать
Тursunov A., & Аxmedov A. (2023). ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОЧНОЙ СИСТЕМЫ SI/CU. Научный вестник Ферганский государственный университета, 29(2), 129. извлечено от https://journal.fdu.uz/index.php/sjfsu/article/view/2383
Выпуск
№ 2 (2023): Научный журнал Ферганского государственного университета (Точные и естественные науки)
Раздел
Физика и техника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

Alisher Тursunov, Shahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and Technology

Toshkent Kimyo – Texnologiya Instituti Shahrisabz filiali Kimyoviy texnologiya va sifat menejmenti kafedrasi assistent o‘qituvchisi

Akbar Аxmedov, Shahrisabz branch of the Tashkent Institute of Chemistry and Technology

Toshkent Kimyo – Texnologiya Instituti Shahrisabz filiali Kimyoviy texnologiya va sifat menejmenti kafedrasi assistent o‘qituvchisi

Библиографические ссылки

. A.L. Stepanov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, V.V. Vorobev, A.M. Rogov, Y.N. Osin «Study of silicon surface implanted by silver ions», Vacuum 159 (2019) 353–357.(A.L. Stepanov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeyev, V.V. Vorobev, A.M. Rogov, Y.N. Osin «Kumush ionlari bilan implantatsiya qilingan kremniy sirtini o‘rganish», Vakuum 159 (2019) 353-357. )

. D.N.Leong, M.A.Harry, K.J.Reeson, and K.P.Homewood, "On the origin of 1.5µm luminescence in ion beam synthesis β-FeSi2". Appl. Phys. Letters. V.68, 1649 (1996) (D.N.Leong, M.A.Harry, K.J.Reeson, va K.P.Homevood, " β-FeSi2 ning ion nurlari sintezida 1,5µm luminesansning kelib chiqishi haqida".)

. В.А.Гриценко, «Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния» УФН, 178 727–737 (2008). (V.A.Grisenko, « Amorf nestoxiometrik kremniy oksidlari va nitridlarning atom tuzilishi» UFN, 178 727–737 (2008))

. К.В.Карабельников, П.А.Карасев, А.И.Титов, ФТП, Т.47, 206 (2013). (K.V.Karabelnikov, P.A.Karasev, A.I.Titov, FTP, T.47, 206 (2013)

. А.А.Алексеев, Д.А.Олянич, Т.В.Утас, В.С.Котляр, А.В.Зотов, А.А.Саранин, ЖТФ, Т.85, вып.10, 94 (2015). (A.A.Alekseyev, D.A.Olyanich, T.V.Utas, V.S.Kotlyar, A.V.Zotov, A.A.Saranin, JTF, T.85, nashr.10, 94 (2015)

. Ю.А. Ницук, М.И. Киосе, Ю.Ф. Вакстон, В.А. Смынтына, И.Р. Яцунский // ФиТП, 2019, Т.53, вып.3. С. 381-387. (Yu.A.Nisuk, M.I.Kiose, Yu.F.Vakston, V.A. Smitina, I.R.Yasunskiy // FiTP, 2019, T.53, nashr.3. S. 381-387.)

. S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov «Formation of nanodimensional structures on surfaces of GaAs and Si by means of ion implantation», Physics Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, V.12. Issue 1-2, January 2015, P.89-93. (S.B. Donayev, F. Djurabekova, D.A. Tashmuhamedova, B.E. Umirzaqov «GaAs va Si sirtlarida ion implantatsiyasi orqali nano o‘lchovli tuzilmalarni hosil qilish», Fizika holati Solidi (C) Qattiq jism fizikasining dolzarb mavzulari, V.12. Nashr 1-2, Yanvar 2015, P.89-93.)

. D. Wang and Z.-Q. Zou, Nanotechnology 20, 275607 (2009). (D.Vang va Z.-Q. Zou, Nanotexnologiya 20, 275607(2009)

. F. Komarov, L. Vlasukova, M. Greben, O. Milchanin, J. Zuk, W. Wesch, E. Wendler, and A. Togambaeva, Nucl. Instrum. and Methods In Phys. Res., Sect. B 307, 102 (2013). (F.Komarov, L. Vlasukova, M. Greben, O. Milchanin, J.Zuk, V.Vesch, E. Vendler, va A.Togambayeva, Nukl. Instrum. va fizikada usullar. Res., Sekt. B 307,102 (2013).

. Donaev S.B., Djurabekova F., Tashmukhamedova D.A. and Umirzakov B.E. Formation of nanodimensional structures on surfaces of GaAs and Si by means of ion implantation. Physica status solidi (c) 12 (1-2), 89-93, doi.org/10.1002/pssc.201400156. (Donayev S.B., Djurabekova F., Tashmuhamedova D.A. va Umirzaqov B.E. GaAs va Si sirtlarida ion implantatsiyasi yordamida nano o‘lchovli tuzilmalarni hosil qilish. Fizika holati mustahkam (c) 12 (1-2), 89-93, doi.org/10.1002/pssc.201400156.)