Physics and technology
No. 2 (2017): Scientific journal of the Fergana State University
ВИСМУТ-СУРМА ТЕЛЛУРИД ЮПҚА ПАРДАЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОCCАЛАРИГА ТЕХНОЛОГИК ЖАРАЁННИНГ ТАЪСИРИ
-
Submitted
-
July 7, 2023
-
Published
-
2023-07-10
Abstract
In this article dependence electrophysical characters of P-type semiconductor fine films on base of the admixtures Bi, Sb and Te from the temperature substrate is explored.
References
- Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. – М.: Наука, 1972.
- Абдуллаев Э.А., Юлдашев Н.Х. Эффект пьезосопротивления в халькогенидах свинца и висмута. – Т.: Фан, 1989.
- Абдуллаев Э.А., Ахмедов М.М., Онаркулов К.Э. Влияние состава и структуры на свойства пленок (Bi1-x Sbx)Te3. // Узбекский физический журнал. – 1995,№ 4.