Skip to main navigation menu Skip to main content Skip to site footer

Physics and technology

No. 2 (2017): Scientific journal of the Fergana State University

ВИСМУТ-СУРМА ТЕЛЛУРИД ЮПҚА ПАРДАЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОCCАЛАРИГА ТЕХНОЛОГИК ЖАРАЁННИНГ ТАЪСИРИ

  • К.Онарқулов
  • А.Юлдашев
Submitted
July 7, 2023
Published
2023-07-10

Abstract

In this article dependence electrophysical  characters of P-type semiconductor fine films on base of the admixtures Bi, Sb and Te from the temperature substrate is explored.

References

  1. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. – М.: Наука, 1972.
  2. Абдуллаев Э.А., Юлдашев Н.Х. Эффект пьезосопротивления в халькогенидах свинца и висмута. – Т.: Фан, 1989.
  3. Абдуллаев Э.А., Ахмедов М.М., Онаркулов К.Э. Влияние состава и структуры на свойства пленок (Bi1-x Sbx)Te3. // Узбекский физический журнал. – 1995,№ 4.