ВОЛЬТ–АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДА
DOI:
https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss5/a162Kalit so‘zlar:
yarimo‘tkazgich diod, volt–amper xarakteristika, diffuziya, termik tok, injeksiya koeffitsientiAnnotatsiya
Maqolada yarimo‘tkazgich diodlarning volt–amper xarakteristikasi chuqur tahlil qilingan. Diffuziya tenglamalari va tegishli chegaraviy shartlardan foydalanib, yupqa va qalin baza qatlamlari uchun zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi hamda tok zichliklarining analitik ifodalari hosil qilindi. Tadqiqotda termik tokning roli alohida ko‘rib chiqildi. U xususiy tashuvchilar konsentratsiyasiga kuchli bog‘liq bo‘lib, kremniy va germaniy diodlari orasida sezilarli farq qiladi. Natijada ushbu diodlarning to‘g‘ri o‘tkazish kuchlanishlari orasidagi farq odatda 0,3–0,4 V ni tashkil etishi isbotlandi va bu jarayonning fizik mexanizmlari tushuntirildi. Shuningdek, emitter va bazaning xususiy qarshiliklari orqali ifodalangan injeksiya koeffitsienti kiritilib, tok o‘tish jarayonining yanada aniq tavsifi berildi. Olingan natijalar diodlarning ishlashini chuqurroq tushunishga yordam beradi va ularning elektronika amaliyotidagi samaradorligini oshirish uchun mustahkam nazariy asos yaratadi.
Adabiyotlar
1. Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken: Wiley-Interscience, 2007. – 815 p.
2. Streetman, B. G., & Banerjee, S. Solid State Electronic Devices. 7th ed. Pearson Education, 2016. – 602 p.
3. Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles. 5th ed. New York: McGraw-Hill, 2012. – 762 p.
4. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley Publishing Company, 1996. – 792 p.
Yuklab olishlar
Nashr etilgan
Son
Bo‘lim
Litsenziya
Mualliflik huquqi (c) 2025 Scientific journal of the Fergana State University
Ushbu ish Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Xalqaro litsenziyasi ostida litsenziyalangan.
Qanday iqtibos keltirish
