DIODNING VOLT–AMPER XARAKTERISTIKASI
DOI:
https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss5/a162Ключевые слова:
полупроводниковый диод, вольт–амперная характеристика, диффузия, термический ток, коэффициент инжекцииАннотация
В статье представлен всесторонний анализ вольт–амперной характеристики полупроводниковых диодов. С использованием уравнений диффузии и соответствующих граничных условий получены аналитические выражения для концентрации носителей и плотности токов как для тонкого, так и для толстого базового слоя. Особое внимание уделено термическому току, величина которого существенно зависит от собственной концентрации носителей и значительно различается у кремниевых и германиевых диодов. В исследовании показано смещение прямого напряжения примерно на 0,3–0,4 В между этими типами диодов и раскрыты соответствующие физические механизмы. Введение коэффициента инжекции через удельные сопротивления базы и эмиттера уточняет описание процессов проводимости. Полученные результаты способствуют более глубокому пониманию работы диодов и создают надежную теоретическую основу для оптимизации их характеристик в электронных приложениях.
Библиографические ссылки
1. Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken: Wiley-Interscience, 2007. – 815 p.
2. Streetman, B. G., & Banerjee, S. Solid State Electronic Devices. 7th ed. Pearson Education, 2016. – 602 p.
3. Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles. 5th ed. New York: McGraw-Hill, 2012. – 762 p.
4. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley Publishing Company, 1996. – 792 p.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2025 Научный вестник Ферганский государственный университета
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
Как цитировать
