INFLUENCE OF DEEP IMPURITY ON PHOTOSENSITIVITY OF CdTe-SiO₂-Si HETEROSTRUCTURE

Salim Otajonov; Nurzod Yunusov; Sherzod Abdullayev; Javohir Boqirov

doi:10.56292/SJFSU/vol31_iss3/a160

Mualliflar

Salim Otajonov

Fergana State University

https://orcid.org/0000-0002-6579-9496
Nurzod Yunusov

Fergana State University

https://orcid.org/0000-0002-1728-7293
Sherzod Abdullayev

Fergana Technical University

https://orcid.org/0009-0007-9768-5008
Javohir Boqirov

Fergana State University

https://orcid.org/0009-0001-8149-8052

DOI:

https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss3/a160

Kalit so‘zlar:

CdTe heterostructures; deep levels; photosensitivity; impurity states; SiO₂; spectroscopy; photodetectors.

Annotatsiya

In this work, the influence of deep impurity levels on the photosensitivity of CdTe-SiO₂-Si heterostructures synthesized by thermal evaporation and subsequent annealing is considered. The presence and energy position of deep level defects in the CdTe layer were determined by temperature-dependent photoresponse and deep level transient spectroscopy. Our results show that the inclusion of deep impurity levels significantly changes the dynamics of photocarrier generation and recombination, leading to an increase in photosensitivity under sub-band illumination. In addition, a correlation between the type and concentration of deep level states and the spectral dependence of the photoresponse is shown. The results obtained are of great importance for the optimization of CdTe-based heterostructures in optoelectronic applications, including infrared photodetectors and solar cells.

Mualliflar haqida

Salim Otajonov, Fergana State University

Fergana State University, d.p.m.s. professor
Nurzod Yunusov, Fergana State University

Fergana State University, teacher
Sherzod Abdullayev, Fergana Technical University

Fergana Technical University, Doctoral student
Javohir Boqirov, Fergana State University

Fergana State University, Master's student

Adabiyotlar

1. A. Romeo, M. Terheggen, D. Abou-Ras, D.L. Bätzner, F.-J. Haug, M. Kälin, D. Rudmann, and A.N. Tiwari, "Development of thin-film Cu(In,Ga)Se₂ and CdTe solar cells," Prog. Photovolt. Res. Appl., vol. 12, no. 2-3, pp. 93-111, 2004.

2. J. Бритт и К. Ферекидес, "Тонкопленочный CdS/CdTe солнечный элемент с эффективностью 15,8%", Appl. Phys. Lett., vol. 62, no. 22, pp. 2851-2852,

1993.

3. H. Zogg, C. Maissen, and A. Nussbaumer, "CdTe гетероструктуры для фотоприемников и фотовольтаики", Semicond. Sci. Technol., vol. 7, no. 8, pp. B215-B221, 1992.

4. S. H. Wei и S. B. Zhang, "Химические тенденции образования дефектов и предел легирования в полупроводниках II-VI: Случай CdTe", Phys. Rev. B, vol. 66, no. 15, pp. 155211, 2002.

5. M. А. Грин, "Тонкопленочные солнечные элементы: Обзор материалов, технологий и коммерческого состояния", J. Mater. Sci: Mater. Electron., vol. 18, pp. S15-S19, 2007.

6. M. M. Islam, S. R. Wenham, and R. M. Swanson, "Deep-level transient spectroscopy of CdTe: Доказательства наличия ловушек, связанных с медью", J. Appl. Phys., vol. 102, pp. 083706, 2007.

7. X. Ву, "Высокоэффективные поликристаллические тонкопленочные солнечные элементы CdTe", Sol. Energy, vol. 77, no. 6, pp. 803-814, 2004.

8. T. Накада, Й. Охата и А. Куниока, "Повышение производительности солнечных элементов из CdTe путем введения ультратонких оксидных буферных слоев", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 92, pp. 1361-1365, 2008.

9. M. Бургельман, П. Нолле и С. Дегрейв, "Моделирование поликристаллических полупроводниковых солнечных элементов", Тонкие твердые пленки, том 361-362, стр. 527-532, 2000.

10. S. K. Sharma и T. M. Gupta, "Уровни дефектов и их влияние на производительность солнечных элементов на основе CdTe", J. Electron. Mater., vol. 40, no. 4, pp. 868-875, 2011.