MAGNIT MAYDONDAGI P-N OʻTISH KUCHLANISHINING TURLI TEMPERATURALARDA OʻZGARISHI

Muxitdinova Feruza Rustam qizi

doi:10.56292/SJFSU/vol31_iss6/a212

Авторы

Muxitdinova Feruza Rustam qizi

Namangan Davlat Texnika Universiteti

https://orcid.org/0000-0001-5302-3781

DOI:

https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss6/a212

Ключевые слова:

p-n-переход, магнитное поле, вольт-амперная характеристика, эффект Холла, температура, напряжение Холла, подвижность

Аннотация

В настоящее время технологии играют большую роль в нашей жизни. Поскольку диоды и транзисторы с p-n-переходом широко используются в технике, изучение их параметров, чувствительности к внешним воздействиям и характеристик весьма актуально. В данной работе рассмотрено влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику, напряжение и высоту потенциального барьера p-n-перехода. Экспериментально обнаружено, что при увеличении магнитного поля вольт-амперная характеристика сдвигается вправо, сопротивление увеличивается, а напряжение также увеличивается, что объясняется эффектом Холла. Рост сопротивления связан с эффектом магнитосопротивления. Приведено выражение для напряжения p-n-перехода в зависимости от магнитного поля, а также его изменения при различных температурах. Экспериментально обнаружено, что при понижении температуры разность напряжений становится большой в присутствии и отсутствии магнитного поля. Приведено выражение, описывающее изменение напряжения в зависимости от магнитного поля при низкой температуре и сильном магнитном поле. Графики, полученные с использованием этого выражения, показывают, что напряжение увеличивается с понижением температуры, как и экспериментальные результаты. Для объяснения этой зависимости мы использовали изменение коэффициента Холла в зависимости от подвижности носителей заряда. Затем мы обнаружили, что напряжение Холла также увеличивается с понижением температуры. Наши результаты оказались близки к экспериментальным результатам. Полученные теоретические результаты были сопоставлены с экспериментальными, и сделаны выводы

Биография автора

Muxitdinova Feruza Rustam qizi, Namangan Davlat Texnika Universiteti

Namangan Davlat Texnika Universiteti Fizika kafedrasi katta oʻqituvchisi

Библиографические ссылки

1. Tuan T., Kuo D., Li Ch., Li G. Effect of Temperature Dependence on Electrical Characterization of p-n GaN Diode Fabricated by RF Magnetron Sputtering// Materials Sciences and Applications (2015) 6 (9) pp. 809–817.

2. Ding D., Dai X., Wang Ch., Diao D. Temperatura dependent crossover between positive and negative magnetoresistance in graphene nanocrystallines embedded carbon film // Carbon (2020) Vol. 163 pp. 19-25.

3. Wan C., Zhang X., Gao X., Wang J., Tan X., Geometrical enhancement of low-field magnetoresistance in silicon // Nature, (2011), 477, pp. 304-307.

4. Wang T., Yang D., Si M., Wang F., Zhou Sh., Xue D. Magnetoresistance Amplification Effect in Silicon Transistor Device // Adv. Electron. Mater. (2016), 160017. pp. 1-5

5. Delmo M., Kasai S., Kobayashi1, Ono T. Space-charge-effect-induced large magnetoresistance in Silicon // Journal of Physics: Conference Series (2009). Vol. 193 012001 pp.1-4.

6. G. Gulyamov, G. Majidova, F. Muxitdinova, “Influence of a magnetic field on the characteristics of a p-n junction diode” G. Majidova, F. Muxitdinova, “Influence of a magnetic field on the characteristics of a p-n junction diode” Journal of Applied Science and Engineering, (2023) 27, 1, Pp. 1911-1917

7. Gulyamov, G., Dadamirzaev, G., Dadamirzayev, M., & Kosimova, M. The influence of the microwave field on the characteristics of the pn junction. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, (2020). 2(4), 7.

8. Gulyamov, G., Dadamirzaev, M. G., Kosimova, M., & Uktamova, M.. Thermophotoemf of hot charge carriers at pn-junctions under exposure to a microwave field and light. Scientific-technical journal, (2020) 3(5), 66-70.

9. Wang T., Si M., Yang D., Shi Z., Wang F., Yang Z., Zhoub Sh., Xue D. Angular dependence of the magnetoresistance effect in a silicon based p–n junction device // Nanoscale. 2014. Vol. 6, pp. 3978-3983.

10. Xu J., Ma M., Sultanov M., Xiao Z. Negative longitudinal magnetoresistance in gallium arsenide quantum wells // Nature Communications. 2019. Vol. 10. 287 pp. 1-7.

11. Delmo M., Shikoh E., Shinjo T., Shiraishi M. Bipolar-driven large linear magnetoresistance in silicon at low magnetic fields // Physical Review B 2013. Vol. 87, 245301 pp. 1-4.

12. Cao Y., Yang D., Si M., Shi H., Xue D. Model for large magnetoresistance effect in p–n junctions // Appl. Phys. Express 2018 Vol. 11 061304 pp. 1-8.

13. Yang D., Wang T., Sui W., Si M., Guo D., Shi Z., Wang F., Xue D. Temperatura-Dependent Asymmetry of Anisotropic Magnetoresistance in Silicon p-n Junctions // Scientific Reports. 2015. Vol. 5, 11096 pp. 1-7.

14. Liu Y., Wang H., Jin X., Zhang M. The space charge limited current and huge linear magnetoresistance in silicon // Scientific Reports 2018. Vol. 8 775 pp. 1-6

15. Шалимова К. В., Физика полупроводников //М.Энергоатомиздат, 1985, с. 113.

16. BB, S., GN, M., & FR, M. (2021). Effect of ultrahigh frequency fields on the photoelectric characteristics of pn conducting semiconductor diodes. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 3(2), 29-34.