sg
O‘zbekcha

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВСЕСТОРОННЕГО ГИДРОСТАТИСТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБРАЗЦОВ N-SI, N-SI И N-SI

Авторы

  • Далиев Хожиакбар Султонович

    "MEI" National Research University in Tashkent
  • Тураев Абдумажид Рахмонович

    "MEI" National Research University in Tashkent

Ключевые слова:

всестороннее гидростатистическое давление, диффузионный отжиг, никель, гадолиний, удельное сопротивление, преципитаты, распад

Аннотация

Исследовано влияние всестороннего гидростатического сжатия ( Па) на электрические свойства монокристаллов кремния, компенсированного никелем и гадолинием. Установлено, что зависимость удельного сопротивления образцов n-Si<Ni> и n-Si<Gd> от давления, измеренная в динамическом режиме, имеет немонотонный характер, причем изменения удельного сопротивления при малых давлениях  Па необратимы, что связано с распадом примесных преципитатов никеля и гадолиния.

Биографии авторов

  • Далиев Хожиакбар Султонович, "MEI" National Research University in Tashkent

    Toshkent shahridagi “MEI” Milliy tadqiqot universiteti professori, f-m.f.d

  • Тураев Абдумажид Рахмонович, "MEI" National Research University in Tashkent

    Toshkent shahridagi “MEI” Milliy tadqiqot universiteti bo‘lim boshlig‘i, f-m.f.n

Библиографические ссылки

Зайнабидинов С., Тураев А.Р., Фистуль В.И. и др. Распад преципитатов Ni в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия. – ФТП. – В.12.1989. -С. 2118-2121.

Зайнабидинов С., Аюпов К.С., Карпов Ю.А. и др. Барический распад преципитатов гадолиния в кремнии // ФТП. – Т.21. В. 4. -1987. -С. 764-765.

Зайнабидинов С., Фистуль В.И. Барические необратимые эффекты в кремнии с примесными преципитатами // ФТП. -Т.21, В. 4.1987. -С. 766-767.

Зайнабидинов С., Тураев А.Р. Baric impurity effects in Silicon // Phys.St.Sol, [a], 136, P.337-349.

Zainabidinov S., Baransky P.I., Karimov I.N., Turaev A.R., Karimberdiev H.Kh. Effect of high hydrostatic pressure on the electrophysical properties of doped silicon crystals and devices based on them // Solid-State Electronics v.38, №3, pp. 693-695 Great Britain. 0038-1101(94)00098-0

Utamurodova Sh.B., Daliev Sh.Kh., Turaev A.R., Saparov F.A.Effect of pressure on surface morphology n-Si // Actual Problems of Solid-State Physics: proc. Book Ⅸ Intern. Scient. Conf., (Minsk, Novenber 22-26). 2 b. B.2/SSPA «Scientific-Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus» УДК 539.21(082) ББК 22.3743

Zainabidinov S., Turaev A.R., F.B. Umarov, F.A. Saparov. Influence of pressures on the characteristics of the metal-semiconductor interface // Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research Vol. 4 Iss. 1 2022

Загрузки

Опубликован

2023-07-05