ИССЛЕДОВАНИЕ СВЯЗИ СТРУКТУР И СВОЙСТВ АФН ЭЛЕМЕНТОВ
Ключевые слова:
аномальная фотовольтаика, аномальная фотоэдс, фронт кристаллизации, ориентация, текстура, граница кристаллитов, дислокация, молекулярный поток.Аннотация
В данной статье анализированы теоретические представления появления аномальной фотонапряжения (АФН) в структурно неоднородных полупроводниковых пленках с аномальной фотовольтаики на основе параметров тонких пленок, непосредственно полученных на экспериментах, а также обсуждены геометрические величины характеризующие границу кристаллитов, поверхностные состояния образующуюся на границе столкновения фронтов кристаллизации.
Библиографические ссылки
Колосов В.Ю., Веретенников Л.М., Старцева Ю.Б., Швам К.Л. Электронно-микроскопические исследования микроструктуры поликристаллических конденсатов на основе халькогенидов: влияние состава и толщины на внутреннее искривление кристаллической решетки. // ФТП.- 2005.- Т.39. В.8.
Наймарк О.Б. Нанокристаллическое состояние как топологический переход в ансамбле зернограничных дефектов. // ФММ. 1997. Т.84. №4. С.5-21.
Неустроев Л.Н., Осипов В.В., Онаркулов К.Э. Исследование внутренней структуры фоточувствительных поликристаллических пленок сульфида свинца с помощью вакуумного прогрева. ФТП.1987.Т.21В.7.С. 5-12.
Атакулов Ш.Б., Зайнолобидинова С.М. Влияние структурных особенностей полликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. I. Механизм явления. // Физика и техника полупроводников, 2011, № 46-(6).-с.728-733.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2024 Научный вестник Ферганский государственный университета
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.