РЕНТГЕНОФАЗОВЫЙ И АСМ-АНАЛИЗ ПЛЕНОК Mn₄Si₇, ОСАЖДЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДОМ
DOI:
https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss4/a110Kalit so‘zlar:
тонкие пленки Mn₄Si₇; магнетронное распыление; ионно-плазменное осаждение; рентгенофазовый анализ; уточнение по Ритвельду.Annotatsiya
В данной работе поликристаллические тонкие пленки марганцевого силицида (Mn₄Si₇) были синтезированы на подложках Si(111) методом ионно-плазменного магнетронного распыления. Исследованы структурные, морфологические и термоэлектрические свойства полученных пленок. Морфология поверхности анализировалась с использованием атомно-силовой микроскопии (АСМ), которая выявила равномерно распределённые нанозерна и характерную шероховатость поверхности. Рентгенофазовый анализ подтвердил формирование тетрагональной кристаллической структуры с доминирующими пиками при определённых углах. Термическая обработка в диапазоне 300–750 K привела к образованию дефектов, которые при более высоких температурах трансформировались в однородные тонкие слои. Метод Ритвельда использовался для уточнения кристаллической структуры и определения индексов Миллера.
Adabiyotlar
1. M. T. Normuradov, I. R. Bekpulatov, V. V. Loboda, B. D. Donaev, and I. Kh. Turapov, “Formation of Mn4Si7 films by magnetron sputtering and a wide range of their thermoelectric properties,” Journal. Physics and Mathematics. 16. (2) (2023) 78–88.
2. B. D. Igamov, G. T. Imanova, A. I. Kamardin, and I. R. Bekpulatov, “Formation of targets and investigation of Mn4Si7 coatings produced by magnetron sputtering,” Series "Physics". № 3(111) (2023) 50-57.
3. B. B. Pitarch, J. P. Gonjal, A. Powell, P. Ziolkowski, and J. G. Canadas, “Thermal conductivity, electrical resistivity, and dimensionless figure of merit (ZT) determination of thermoelectric materials by impedance spectroscopy up to 250 °C,” Journal of Applied Physics. Vol. 124. No. 2. (2018) P. 025105.
4. C. L. Shen, S. M. Yang, and K. C. Lu, “Single Crystalline Higher Manganese Silicide Nanowire Arrays with Outstanding Physical Properties through Double Tube Chemical Vapor Deposition,” Nanomaterials. 2020; 10(9):1880.
5. I. R. Bekpulatov, G. T. Imanova, T. S. Kamilov, B. D. Igamov, and I. K. Turapov, “Formation of n-type CoSi monosilicide film which can be used in instrumentation,” International Journal of Modern Physics B. Vol. 36. No. 32. (2022) 2350164
6. Dao Y Nhi Truong. “Thermoelectric Properties of Higher Manganese Silicides,” Waterloo, Ontario, Canada, (2015)
7. S. Choia, K. Kuboa, N. Uchiyamaa, and T. Takeuchi, “Thermoelectric properties of higher manganese silicide consolidated by flash spark plasma sintering technique,” Journal of Alloys and Compounds. Vol. 921. (2022) P. 166104.
8. Hou Q.R., Zhao W., Chen Y.B., and He Y.J. “Preparation of n-type higher manganese silicide films by magnetron sputtering,” International Journal of Modern Physics B Vol. 23, No. 16 (2009) 3331–3348.
9. M. Yu. Tashmetov, F. K. Khallokov, N. B. Ismatov, I. I. Yuldashova, I. Nuritdinov, et al., “Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal,” Physica B: Condensed Matter Volume 613, (2021).
10. M. T. Normuradov, SH. T. Khozhiev, K. T. Dovranov, KH. T. Davranov, M. A. Davlatov, et al., “Development of a technology for the production of nano-sized heterostructured films by ion-plasma deposition,” Structure of Materials. ISSN 2071-0194. Ukr. J. Phys. Vol. 68, No.3. (2023) 210-215.
11. M. T. Normuradov, Sh. T. Khozhiev, L. B. Akhmedova, I. O. Kosimov, M. A. Davlatov et al., “Peculiarities of BaTiO3 in electronic and X-Ray analysis,” E3S Web Conf. Volume 383 (2023), 04068.
12. L. Smrcok, V. Langer, M. Halvarsson, and S. Ruppi, “Zeitschrift fuer Kristallographie,” 149, 1979 (2001) 216. pp. 409-412.
13. I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Zdoroveishchev et al., “Thermoelectric effects in nanosized layers of manganese silicide,” Physics and Technology of Semiconductors, volume 51, no. 11. (2017).
14. Q. R. Hou, W. Zhao, Y. B. Chen, D. Liang, X. Feng et al., “Thermoelectric properties of higher manganese silicidefilms with additionof chromium,” Appl.Phys.A86, (2007) 385–389. DOI:10.1007/s00339-006-3795-6
15. Z. M. Wang, Q. R. Hou, and Y.J. He, “Thermoelectric properties of manganese silicidefilms,” Appl.Phys.A80,1807–1811(2005).
Yuklab olishlar
Nashr etilgan
Son
Bo‘lim
Litsenziya
Mualliflik huquqi (c) 2025 Scientific journal of the Fergana State University
Ushbu ish Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Xalqaro litsenziyasi ostida litsenziyalangan.
Qanday iqtibos keltirish
