OPTOELEKTRONIKADA QO‘LLASH UCHUN OPTRONLAR YARATISH

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Shohjahon Yuldashev
Muhammadjonova Saidxon

Annotatsiya

Polikristall yupqa birjinsli emas yarimo‘tkazgich pardalardan foydalanib mikroelektronika uchun yuqori samarador optronlar yaratishning fizika, texnikaviy asoslari bayon qilingan. Optron elementlarida kuzatiladigan energetik yo‘qotishlarni kamaytirishning ilmiy asoslari tahlil qilingan. Optoelektron qurilmaning samaradorligi yuqoridagilar bilan bir qatorda, elementar optron elementlari, yorug‘lik manbasi va uning iste’molchisi orasidagi optik foton vositasidagi bog‘lanishlardagi yorug‘lik signallarining kam yo‘qotishlar bilan buzilmay foto qabul qilgichga yetib kelishi bilan bog‘liq. Mikroelektron tizimda ham bu muammoni tolali optika vositasida amalga oshirish mumkin. Tolali optika qurilmalari ixcham, uning yorug‘lik tolasi diametri 1 mkm atrofida bo‘ladi. Elastikligi yuqori, uning egilishi uzatilayotgan optik signalni buzmaydi. Samaradorligi elektr aloqa vositasidan juda yuqori. Tasvir uzatish imkoniyatining darajasi yuqori. Bu afzalliklarni amalga oshirish uchun optik tola bilan manba va yorug‘lik iste’molchisi orasidagi optik kontakt sifati  yuqori bo‘lishi kerak. Bu vazifani qoniqarli darajada amalga oshirish uchun immersion muxit sifatida sindirish ko‘rsatkichi n yorug‘lik manbasi va foto qabul qilgich sindirish ko‘rsatkichiga yaqin qilib olingan.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Bo‘lim
Ilmiy axborot
Mualliflar biografiyasi

Shohjahon Yuldashev, Farg'ona davlat universiteti

Farg‘ona davlat universiteti, t.f.b.f.d (PhD)

Muhammadjonova Saidxon, Farg'ona davlat universiteti

Farg‘ona davlat universiteti talabasi

Foydalaniladigan adabiyotlar

Найманбаев Р., Ирматов С. Яримўтказгичли фотоприёмниклар // Монография. «Фарғона нашриёти». 2011, 62-64-б.

Рахимов Н.Р., Ушаков О.К. Оптоэлектроные датчики на основы АФК-эффекта // Новосибирск, изд. “СГГА”. 2010, c.86-92

Naymanbayev R., Toxirov M.Q., Nurdinova R.A., Sobirova S.S., Xomidov A.Q. On the Nature of the APV Effect in Semiconductor Copper and Indium Telluride Films // Uzbek Journal of Physics. 2012, Vol 14, p.311-315

Onarkulov, K. E., Naymonboyev, R., Yuldashev Sh, A., & Yuldashev, A. A. (2021). Preparation of photo elements from chalcogenide thin curtains. Electronic journal of actual problems of modern science, education and training, 7(2).

Onarkulov, M., Nasriddinov, S., Yuldashev, S., & Yunusaliev, L. (2020). TECHNOLOGICAL FEATURES OF OBTAINING STRENGTH SENSITIVE POLYCRYSTALLINE FILMS Bi2-XSbXTe3. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 2(3), 27.

Onarkulov, K. E., Naymanbayev, R., Yuldashev, A. A., & Yuldashev Sh, A. (2021). Халкогенид бирикмалари устида тадқиқотлар. Eurasian journal of academic research, 1(6), 136-137.

Онаркулов, К. Э., Юлдашев, Ш. А., & Юлдашев, А. А. (2022). ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЙ. Central Asian Research Journal for Interdisciplinary Studies (CARJIS), 2(3), 427-434.

Egamberdievich, O. K., Abrorovich, Y. S., Abduvositovich, Y. A., & Qizi, Y. S. A. (2022). Determination of Microparameters of Halcogenide Thin Movies. Journal of Optoelectronics Laser, 41(5), 523-530.

Онарқулов, К., & Юлдашев, А. (2017). ВИСМУТ-СУРМА ТЕЛЛУРИД ЮПҚА ПАРДАЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОCCАЛАРИГА ТЕХНОЛОГИК ЖАРАЁННИНГ ТАЪСИРИ. Scientific journal of the Fergana State University, (2), 2-2.

Yuldashev, A. (2022). ОПТОТРАНСФОРМАТОР. Science and innovation, 1(A7), 876-882.

Onarkulov, M., & Gaynazarova, K. (2024, March). Effect of chalcogens on Bi-Sb (Se-Te) based alloys made under inert gas pressure. In AIP Conference Proceedings (Vol. 3045, No. 1). AIP Publishing.

Ushbu muallif(lar)ning maqolalari, eng ko‘p o‘qilgan