logo
O‘zbekcha

ЦЕЛИ И МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Авторы

  • М.Х.Рахмонкулов

    Ферганского государственного университета

DOI:

https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss6/a209

Ключевые слова:

радиационных дефектов, гранитца кристолитов, радиационные дефекты, глубоких энергетических уровней.

Аннотация

Изучения количества возникающих под действием жестких излучений дефектов, а также для получения сведений о системе энергетических уровней дефектов систематически применяются измерения электро­проводности и эффекта Холла. Совокупность данных, полученных из опытов, проведенных с кристаллами германия и кремния, а также и с другими полупроводниками, убедительно показывает, что радиационные дефекты (даже в наиболее простом с точки зрения теоретических представлений случае электронной бомбардировки) имеют сложный спектр мелких и глубоких энергетических уровней в запрещенной полосе. Наличие не­скольких глубоких уровней дефектов в кристаллах с достаточно широкой запрещенной полосой качественно объясняют, распространяя представление об уменьше­нии энергии связи электрона средой с высокой диэлектрической проницаемостью на случай многократной ионизации (например, для междоузельного атома Ge или Si). Аналогичным образом считают, что незаполненные валентные связи в области пустого узла (вакансии) приводят к существованию нескольких уровней захвата электронов.

Биография автора

  • М.Х.Рахмонкулов, Ферганского государственного университета

    Дотцент, физика-математическое наук

    Ферганский государиствинной университета

     

Библиографические ссылки

1. James H., Lark – Horovitz K. J. Phys. Chem. ( Leipzig) 198, 107 (1951).

2. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники.М.Изд.физ.-мат.лит. 1963.264 с.

3. .Гудкин Т. С, Драбкин И.А, Кайданов В.И. и другие. Особенности рассеяния электронов в тонких пленках PbTe/ФТП 1974. Т.8. Вып.11.С 2233-2235.

4. .Неустроев Л.Н, Осипов В.В. О механизме протеканце тока и фототока в полиприота max PbS. /ФТП 1984.Т.18 Вып. 2.С 259-262.

5. Равич Ю.И. Ефимова Б.А, Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. – M: Наука 1968- 383.

6. .Lawson W.D, J.Appl. Phys. 22 1444(1951).

7. .Silverman S.J, Levinstein H. Phys. Rev 94,871(1954).

8. .Putley E.H. Proc. Phys. Soc. (London) B65,388,736,992(1952)

9. .Scanlon W.W. Phys. Rev, 92, 1573. (1953).

10. Scanlon W.W. Bpebrick R.F, Physica, 20, 1090(1954).

11. Scanlon W.W. Bpebrick R.J, Phys Rev, 93. 1430 (1954).

12. Mitchel G.R. Goldberd.A.J. Phys. Rev, 93.1421.(1953).

13. Moss T.S. Proc, IRE 43, 1869. (1955).

Загрузки

Опубликован

2026-02-04

Выпуск

Раздел

Физика и техника

Как цитировать

ЦЕЛИ И МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. (2026). Научный вестник Ферганский государственный университета, 31(6), 209. https://doi.org/10.56292/SJFSU/vol31_iss6/a209