СОЗДАНИЕ ОПТРОНИКИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ

Боковая панель статьи

PDF (O'zbekcha)
Опубликован: июн. 25, 2024
Ключевые слова:
Элементарный оптрон, спектр, светодиод, амплитуда излучения, фото пир, иммерсионная среда, оптическое волокно, показатель преломления, полный внутренний возврат, зонная диаграмма потенциала.

Основное содержимое статьи

Shohjahon Yuldashev
Farg'ona davlat universiteti
https://orcid.org/0009-0000-3919-0807
Muhammadjonova Saidxon Muhammadjonova Saidxon
Farg'ona davlat universiteti
https://orcid.org/0009-0002-4783-817X

Аннотация

Описаны физические и технические основы создания высокоэффективных оптронов для микроэлектроники с использованием поликристаллических неоднородных полупроводниковых мембран. Проанализированы научные основы снижения энергетических потерь, наблюдаемых в оптронных элементах. Помимо вышесказанного, эффективность оптоэлектронного устройства зависит от того, что световые сигналы доходят до фотоприемника в целости и с небольшими потерями в оптических фотонно-опосредованных связях между элементарными оптронными элементами, источником света и его потребителем. В микроэлектронной системе эту проблему можно решить с помощью оптоволокна. Волоконно-оптические устройства компактны, диаметр их световода составляет около 1 мкм. Высокая эластичность, изгиб не разрушает передаваемый оптический сигнал. КПД гораздо выше, чем у электрической связи. Уровень возможности передачи изображений высок. Для реализации этих преимуществ качество оптического контакта между оптическим волокном и источником света и потребителем должно быть высоким. Для удовлетворительного выполнения этой задачи показатель преломления n иммерсионной среды выбирают близким к показателю преломления источника света и фоторецептора.

Информация о статье

Как цитировать
Yuldashev, S., & Muhammadjonova Saidxon, M. S. (2024). СОЗДАНИЕ ОПТРОНИКИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ. Научный вестник Ферганский государственный университета, 30(3), 172. извлечено от https://journal.fdu.uz/index.php/sjfsu/article/view/3752
Выпуск
№ 3 (2024): FarDU.Ilmiy xabarlar jurnali (Aniq va tabiiy fanlar)
Раздел
Научная информация
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

Shohjahon Yuldashev, Farg'ona davlat universiteti

Farg‘ona davlat universiteti, t.f.b.f.d (PhD)

Muhammadjonova Saidxon Muhammadjonova Saidxon, Farg'ona davlat universiteti

Farg‘ona davlat universiteti talabasi

Библиографические ссылки

Найманбаев Р., Ирматов С. Яримўтказгичли фотоприёмниклар // Монография. «Фарғона нашриёти». 2011, 62-64-б.

Рахимов Н.Р., Ушаков О.К. Оптоэлектроные датчики на основы АФК-эффекта // Новосибирск, изд. “СГГА”. 2010, c.86-92

Naymanbayev R., Toxirov M.Q., Nurdinova R.A., Sobirova S.S., Xomidov A.Q. On the Nature of the APV Effect in Semiconductor Copper and Indium Telluride Films // Uzbek Journal of Physics. 2012, Vol 14, p.311-315

Onarkulov, K. E., Naymonboyev, R., Yuldashev Sh, A., & Yuldashev, A. A. (2021). Preparation of photo elements from chalcogenide thin curtains. Electronic journal of actual problems of modern science, education and training, 7(2).

Onarkulov, M., Nasriddinov, S., Yuldashev, S., & Yunusaliev, L. (2020). TECHNOLOGICAL FEATURES OF OBTAINING STRENGTH SENSITIVE POLYCRYSTALLINE FILMS Bi2-XSbXTe3. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 2(3), 27.

Onarkulov, K. E., Naymanbayev, R., Yuldashev, A. A., & Yuldashev Sh, A. (2021). Халкогенид бирикмалари устида тадқиқотлар. Eurasian journal of academic research, 1(6), 136-137.

Онаркулов, К. Э., Юлдашев, Ш. А., & Юлдашев, А. А. (2022). ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЙ. Central Asian Research Journal for Interdisciplinary Studies (CARJIS), 2(3), 427-434.

Egamberdievich, O. K., Abrorovich, Y. S., Abduvositovich, Y. A., & Qizi, Y. S. A. (2022). Determination of Microparameters of Halcogenide Thin Movies. Journal of Optoelectronics Laser, 41(5), 523-530.

Онарқулов, К., & Юлдашев, А. (2017). ВИСМУТ-СУРМА ТЕЛЛУРИД ЮПҚА ПАРДАЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОCCАЛАРИГА ТЕХНОЛОГИК ЖАРАЁННИНГ ТАЪСИРИ. Scientific journal of the Fergana State University, (2), 2-2.

Yuldashev, A. (2022). ОПТОТРАНСФОРМАТОР. Science and innovation, 1(A7), 876-882.

Onarkulov, M., & Gaynazarova, K. (2024, March). Effect of chalcogens on Bi-Sb (Se-Te) based alloys made under inert gas pressure. In AIP Conference Proceedings (Vol. 3045, No. 1). AIP Publishing.